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【科技日报】6英寸碳化硅单晶衬底研制成功

2014-12-26 科技日报
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　　近日，澳门赌场物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。

（原载于《科技日报》 2014-12-26 07版）

打印 责任编辑：冀正一

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